1. IKW75N60TA
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厂商型号

IKW75N60TA 

产品描述

IGBT Transistors 600V 75A 100nA

内部编号

173-IKW75N60TA

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:15
1+¥55.0907
25+¥51.1612
100+¥49.0808
500+¥47.0776
1000+¥44.766
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:228
1+¥64.2744
10+¥58.0521
25+¥55.3854
50+¥51.5563
100+¥48.069
250+¥45.6075
500+¥41.6416
1000+¥35.2142
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:3
1+¥67.945
10+¥61.3601
100+¥50.8025
500+¥44.2384
最小起订量:1
美国费城
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IKW75N60TA产品详细规格

规格书 IKW75N60TA datasheet 规格书
IKW75N60T
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 240
IGBT 型 Trench and Field Stop
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 75A
- 集电极电流(Ic)(最大) 80A
功率 - 最大 428W
Input 型 Standard
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-247-3
供应商器件封装 TO-247-3
包装材料 Tube
栅极电荷 470nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 80A
安装类型 Through Hole
开关能量 4.5mJ
标准包装 240
时间Td(开/关) @ 25°C 33ns/330ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2V @ 15V, 75A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 600V
供应商设备封装 TO-247-3
反向恢复时间(trr ) 121ns
封装 Tube
功率 - 最大 428W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
IGBT类型 Trench and Field Stop
测试条件 400V, 75A, 5 Ohm, 15V
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 225A
栅极 - 射极漏泄电流 100 nA
连续集电极电流在25 C 75 A
系列 IKW75N60
集电极 - 发射极饱和电压 1.95 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 600 V
安装风格 Through Hole
最大栅极发射极电压 20 V
最低工作温度 - 40 C
零件号别名 IKW75N60TAFKSA1 SP000647368
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
工厂包装数量 240
连续集电极电流Ic最大 75 A
品牌 Infineon Technologies
Pd - Power Dissipation 428 W
配置 Single
技术 Si

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